Zweidimensionale In-Plane-Gate Transistoren: Herstellung durch n-Dotierung von AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/GaAs Heterostrukturen mittels fokussierter Si-Ionenstrahlen - Taschenbuch
ISBN: 3898631672
Taschenbuch, [EAN: 9783898631679], GCA, GCA, Book, [PU: GCA], GCA, 290916, Transistoren, 560292, Bauelemente, 290888, Elektrotechnik, 290520, Ingenieurwissenschaften, 288100, Fachbücher, … Mehr…
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ISBN: 3898631672
Taschenbuch, [EAN: 9783898631679], GCA, GCA, Book, [PU: GCA], GCA, 290523, Physik & Astronomie, 295007, Akustik, 295050, Astronomie & Astrophysik, 290845, Biophysik, 519842, Chaosforschun… Mehr…
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Andrea Seekamp:
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Bibliographische Daten des bestpassenden Buches
Detailangaben zum Buch - Zweidimensionale In-Plane-Gate Transistoren: Herstellung durch n-Dotierung von AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/GaAs Heterostrukturen mittels fokussierter Si-Ionenstrahlen
ISBN (ISBN-10): 3898631672 (ISBN-13: 9783898631679)
Taschenbuch
Herausgeber: GCA
Buch in der Datenbank seit 2009-03-27T14:09:35+01:00 (Zurich)
Detailseite zuletzt geändert am 2018-06-10T16:29:04+02:00 (Zurich)
ISBN/EAN: 3898631672
ISBN - alternative Schreibweisen:
3-89863-167-2
Alternative Schreibweisen und verwandte Suchbegriffe:
Autor des Buches: seekamp
Titel des Buches: gaa, alxga1 xas inyga1 yas gaas zweidimensionale
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