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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs - Viktor Sverdlov
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Viktor Sverdlov:

Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs - neues Buch

2001, ISBN: 9783709103814

[ED: Buch], [PU: Springer-Verlag KG], Neuware - Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools req… Mehr…

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Viktor Sverdlov:

Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs - gebunden oder broschiert

2010, ISBN: 3709103819

[EAN: 9783709103814], Neubuch, [PU: Springer Vienna], ELEKTRONIK MIKROELEKTRONIK INGENIEURWISSENSCHAFT - INGENIEURWISSENSCHAFTLER TECHNIK ELEKTROTECHNIK NACHRICHTENTECHNIK SEMICONDUCTOR D… Mehr…

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Straininduced Effects in Advanced Mosfets Computational Microelectronics - gebunden oder broschiert

2011

ISBN: 9783709103814

Hardcover, PLEASE NOTE, WE DO NOT SHIP TO DENMARK. New Book from multilingual publisher. Shipped from UK within 4 to 14 days. Please check language within the description., [PU: Springer]

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Straininduced Effects in Advanced Mosfets Computational Microelectronics - gebunden oder broschiert

2011, ISBN: 9783709103814

Hardcover, New Book from multilingual publisher. Shipped from UK within 4 to 14 days. Please check language within the description., [PU: Springer]

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Sverdlov, Viktor:
Strain-Induced Effects in Advanced Mosfets - gebunden oder broschiert

2010, ISBN: 9783709103814

Hard cover, New., Sewn binding. Cloth over boards. 252 p. Contains: Tables, black & white. Computational Microelectronics., Vienna, [PU: Springer]

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Bibliographische Daten des bestpassenden Buches

Details zum Buch
Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs (Computational Microelectronics)
Autor:
Titel:
ISBN-Nummer:

9783709103814


Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.

Detailangaben zum Buch - Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs (Computational Microelectronics)


EAN (ISBN-13): 9783709103814
ISBN (ISBN-10): 3709103819
Gebundene Ausgabe
Erscheinungsjahr: 2010
Herausgeber: Springer
252 Seiten
Gewicht: 0,633 kg
Sprache: eng/Englisch

Buch in der Datenbank seit 2011-04-09T21:17:05+02:00 (Zurich)
Detailseite zuletzt geändert am 2023-07-05T19:56:42+02:00 (Zurich)
ISBN/EAN: 9783709103814

ISBN - alternative Schreibweisen:
3-7091-0381-9, 978-3-7091-0381-4
Alternative Schreibweisen und verwandte Suchbegriffe:
Autor des Buches: viktor
Titel des Buches: mosfet, mosfets, viktor, microelectronics

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